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La note de projet Comment avoir plus de la dissertation au bac

Cette lacune complète dans une grande mesure nouveau demi-conducteur l'appareil — lavinno-proletnyj la diode (, étant la base de la classe entière des installations; des générateurs, les amplificateurs et les réorganisateurs de la fréquence.

Dans les raisonnements précédents nous partions sur le modèle purement cinématique, en négligeant l'influence de la charge sur le groupement des électrons à. Cependant cette influence dans plusieurs variantes ne suffit pas les générateurs pas du tout non. Particulièrement le rôle de la charge volumineuse dans les diodes avec l'émission champêtre, à qui la charge électronique volumineuse, la tension du champ électrique près de la cathode, influence le courant de l'émission. Au fond la charge volumineuse crée dans la diode le mécanisme original de la liaison en retour intérieure négative. Si le courant de l'émission suit instantanément le champ, de cette liaison en retour négative est réduit seulement à la restriction du moyen courant passant par la diode. Cependant, si l'émission, la position change.

La nécessité instante, l'augmentation de ses qualités économiques et la sécurité a provoqué la croissance rapide des fréquences ouvrières des appareils. À côté de grands succès à des transistors c'était favorisé l'ouverture des nouveaux phénomènes physiques dans les semi-conducteurs, faisant l'élaboration des appareils adéquats.

Cependant existe principalement simple de l'augmentation rude de l'efficacité. Il consiste en remplacement de la modulation des électrons selon la vitesse par la modulation selon le courant sur l'entrée à l'intervalle.

Avec dynamique négatif 60 ans étions connus les diodes dans l'électronique vidée déjà. L.Levellin a montré expérimentalement la possibilité de la création à la base d'une telle diode du générateur. Le schéma du générateur semblable insère, limité par deux électrodes — la cathode et l'anode, à qui on met la constante U0 et U ~ les différences des potentiels, et extérieur le contour.

Les expériences ultérieures ont montré que les phénomènes semblables (la génération des hésitations) peuvent et sur les diodes de l'autre structure : de diffusion sur la base de n-germaniya, flottable les diodes avec - par le passage, de diffusion et flottable les diodes et etc.

Cependant puisque le groupement des électrons et la sélection de la capacité à haute fréquence se passent à même l'espace en absence dans cela des ondes électromagnétiques ralenties, d'une telle coopération est pas grande absolu de la résistance active de la diode beaucoup moins valeur de sa résistance réactive (capacitive). C'est pourquoi la création de l'oscillateur à la gamme doit connecter à la diode le contour extérieur avec par la solidité et retirer de la cathode la très grande densité du courant. En raison de cela la réalisation des générateurs semblables a rencontré les difficultés considérables et ils n'ont pas trouvé l'application pratique.

Cette énergie est négative, i.e. il y a une transformation de l'énergie cinétique des électrons à l'énergie du champ à haute fréquence. Dans les bandes de fréquences correspondantes la résistance active de la diode négativement.